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洞察:世平基于晶丰明源 MCU 和杰华特 AFE 的便携式储能 BMS 应用方案

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    发表于 昨天 04:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

    一、方案描述为了打开市场,电机驱动方案不断的提升业务发展的能力,为其塑造卓尔不凡的品牌形象。使用者登录后,可以根据应用、原厂、传输技术、输出功率等选项快速筛选出感兴趣的方案;浏览方案时可以提问、分享、收藏,还能一键连结到大大购进行方案的关键物料的购买。https://www.wpgdadatong.com.cn/blog/detail/74621


            大联大世平集团针对便携式储能的电池保护系统,推出基于晶丰明源(BPS)的 MCU-LKS32MC453 和杰华特(JOULWATT)的 AFE-JW3376 和高边驱动-JW3330 驱动方案。使用 SPI 接口现 MCU 和 AFE 的通讯。NMOS 采用芯迈(Silicon Magic)的 SDN10N3P5B-AA 和 SDN10K018S2C。并配备一个纳芯微压力传感器 NSPGS2。此方案具有被动均衡、充放电控制、温度采集、高边保护等功能,支持:过压/欠压保护、高/低温保护、断路保护、过流保护等保护机制。

    世平基于晶丰明源 MCU 和杰华特 AFE 的便携式储能 BMS 应用方案

    硬件设计说明:

    主控
           BPS 的 LKS32MC453 MCU, 192MHz 32位CortexM4F 内核,具有丰富的 DSP指令,硬件浮点运算单元。内置高达 256KB 的 Flash 存储器,支持加密保护,比较大 40KB 的 SRAM。集成了高性能模拟器件、多种 I/O 端口和丰富的外设。内置 12MHz 高精度 RC 时钟和低速 32kHz 低速时钟,可外挂 12~24MHz 外部晶振,内部 PLL 可提供比较高 192MHz 主频。

    256KB Flash,40KB SRAMB。
    包含 3 路 14Bit SAR ADC,2 Msps 采样及转换速率。
    包含 2 路 12bit DAC 数模转换器。
    3 个通用 16 位 Timer、2 个通用 32 位 Timer、1 个 24bit systick 定时器。
    2 个 I2C 接口、2 个 SPI 接口、1 路 CAN 接口和 3 路 UART 接口
    1 路单独 DMA 引擎, 共 8 个通道, 支持 8、16、32bit 传输
    ADC 自检模块,支持开路短路检查
    1 个 CRC 模块

    AFE-JW3376
    JW3376: 是一种 16S 电池组模拟前端 IC,主要有以下功能:

    一个 14 位 ADC 对电池电压和温度进行采样,精度为 ±7mV,范围:3-4.3V。
    16 位 ADC 采样充电/放电电流。
    4 通道热敏感测,精度 ±1℃。
    电池过压/欠压和温度保护。
    11-16 串电池,被动均衡。
    充电/放电过流保护、放电短路保护。
    可靠的 SPI 通信。
    3V LDO 输出用于外部应用。
    外部保护 N-MOS 高驱动能力:12mA/86mA。
    集成预充电/放电功能。
    封装:TSSOP48。

    JW3330
           JW3330: 是一款低功耗、100V 高边 N 沟道 MOSFET 驱动控制 IC。通过切断高压侧开关来断开电源,可以避免类似低边保护时断开系统接地线的问题发生,增强 BMS 系统的稳定性和可靠性。JW3330 可与模拟前端芯片配合使用,可以对充电和放电 FET 进行单独控制。

    输入电压范围 2V-90V。
    充电和放电高侧 NMOSFET 驱动器。
    预充和预放电高压侧 NMOS FET 驱动器(仅限 TSSOP16)。
    单独数字启用充电、放电、预充电、预放电控制。
    外围设备少。
    静态功耗: -正常模式:60μA typ。
                                 -空闲模式:12.5μA typ。

    高侧负载检测和充电器检测逻辑(仅限 TSSOP16)。
    可直接与 AFE 一起使用。
    封装:TSSOP16/SOP8(本方案用的是 TSSOP16)。

    N-MOSFET
           充放电开关控制部分,方案的开关管 N-MOSFET 采用芯迈的 SDN10K018S2C 来做预充电、预放电,该 MOS 管的漏源电压(VDS)能够达到 100V,其连续漏电流(Id)可达 45A。当 VGS = 10V 时,RDS 为 18mΩ 。采用芯迈的 SDN10N3P5B-AA 来做充电、放电控制。该 MOS 管的漏源电压(VDS)能够达到 100V,其连续漏电流(Id)可达 120A。当 VGS = 10V 时,RDS 为 3.5mΩ 。



    DC-DC
           DC-DC 部分,方案采用杰华特的 JWH5140F 来对 BAT+ 的电压进行降压处理,使 DC-DC 输出 5V 。JWH5140F 的特点如下:

    工作输入范围为 6V 至 100V。
    拥有 6A 输出电流,且内部具备软启动功能。
    可调节开关频率。
    在轻载下的强制连续导通模式(FCCM)。
    支持短路保护。
    支持高温保护。
    封装:DFN4X-4-8。

    LDO
           LDO 部分,方案采用杰华特的 JW7806 来对 DC-DC 的输出电压进行再一步的降压处理使 LDO 输出 3.3V 。JW7806 的特点如下:

    输入电压范围:2V-5.5V。
    输出电压范围:2V-4.5V。
    输出电压精度:±2%。
    输出电流:300mA。
    低压差:120mV(典型值)。
    电源抑制比(PSRR):82dB@1kHz。
    需噪声旁路电容器。
    低输出电压噪声:12 uVRMS。
    限流保护。
    过温保护。
    工作温度范围:-40℃-125℃。
    封装:SOT23-5。

    NSPGS2
           压力检测部分,方案采用纳芯微的 NSPGS2 ,NSPGS2 系列设计用于操作压力范围为 -100kPa 至 350kPa,其特点如下:

    0°C 至 60°C 范围内于 ±1.5%(模拟)。
    -40°C 至 70°C 范围内于 ±2.5%(模拟)。
    0°C 至 60°C 范围内于 ±1%(数字)。
    -40°C 至 70°C 范围内于 ±2%(数字)。
    温度范围大:-40°C ~70°C。
    比率/绝对模拟输出。
    24 位 I2C。
    带空气喷嘴的 SOP 封装,易于组装。
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